
IPA60R380C6XKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPA60R380C6XKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPA60R380C6XKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 10,6 A (Tc) 31W (Tc) Foro passante PG-TO220-FP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPA60R380C6XKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 320µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 700 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 31W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-FP |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 380mohm a 3,8A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP12N65X2M | IXYS | 0 | IXTP12N65X2M-ND | € 1,98773 | Simile |
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 373 | R6011ENX-ND | € 3,66000 | Simile |
| SIHF12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHF12N60E-E3-ND | € 3,20000 | Simile |
| SIHF12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 197 | 742-SIHF12N60E-GE3-ND | € 3,20000 | Simile |
| STF10NM60ND | STMicroelectronics | 378 | 497-12246-ND | € 2,24000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,28000 | € 2,28 |
| 50 | € 1,11360 | € 55,68 |
| 100 | € 1,00070 | € 100,07 |
| 500 | € 0,80276 | € 401,38 |
| 1 000 | € 0,73915 | € 739,15 |
| 2 000 | € 0,68566 | € 1 371,32 |
| 5 000 | € 0,62780 | € 3 139,00 |
| 10 000 | € 0,60662 | € 6 066,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,28000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,78160 |

