
IMZA75R090M1HXKSA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMZA75R090M1HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMZA75R090M1HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 750 V 23 A (Tj) 113W (Tc) Foro passante PG-TO247-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5,6V a 2,6mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -5V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 542 pF @ 500 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 113W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 750 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-4 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 83mohm a 7,4A, 20V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| AIMZA75R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 199 | 448-AIMZA75R090M1HXKSA1-ND | € 7,08000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 6,70000 | € 6,70 |
| 30 | € 3,86200 | € 115,86 |
| 120 | € 3,23883 | € 388,66 |
| 510 | € 2,78216 | € 1 418,90 |
| 1 020 | € 2,61559 | € 2 667,90 |
| 2 010 | € 2,61079 | € 5 247,69 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 6,70000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 8,17400 |

