Canale N 750 V 23 A (Tj) 113W (Tc) Foro passante PG-TO247-4
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IMZA75R090M1HXKSA1

Codice DigiKey
448-IMZA75R090M1HXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMZA75R090M1HXKSA1
Descrizione
SILICON CARBIDE MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 750 V 23 A (Tj) 113W (Tc) Foro passante PG-TO247-4
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5,6V a 2,6mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 18 V
Serie
Vgs (max)
+23V, -5V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
542 pF @ 500 V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Dissipazione di potenza (max)
113W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
750 V
Contenitore del fornitore
PG-TO247-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 20V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
83mohm a 7,4A, 20V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AIMZA75R090M1HXKSA1Infineon Technologies199448-AIMZA75R090M1HXKSA1-ND€ 7,08000Equivalente parametrico
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 6,70000€ 6,70
30€ 3,86200€ 115,86
120€ 3,23883€ 388,66
510€ 2,78216€ 1 418,90
1 020€ 2,61559€ 2 667,90
2 010€ 2,61079€ 5 247,69
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 6,70000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 8,17400