Canale N 750 V 89A (Tj) 319W (Tc) Foro passante PG-TO247-4
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IMZA75R016M1HXKSA1

Codice DigiKey
448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMZA75R016M1HXKSA1
Descrizione
SILICON CARBIDE MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 750 V 89A (Tj) 319W (Tc) Foro passante PG-TO247-4
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5,6V a 14,9mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
81 nC @ 18 V
Serie
Vgs (max)
+23V, -5V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2869 pF @ 500 V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Dissipazione di potenza (max)
319W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
750 V
Contenitore del fornitore
PG-TO247-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 20V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
15mohm a 41,5A, 20V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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In magazzino: 39
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 18,33000€ 18,33
30€ 11,52467€ 345,74
120€ 10,03633€ 1 204,36
510€ 9,69790€ 4 945,93
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 18,33000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 22,36260