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IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 750 V 163 A (Tc) 517W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-U02 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMZA75R008M1HXKSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 7,2mohm a 90,3A, 20V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 5,6V a 32,4mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 178 nC @ 500 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) +23V, -5V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6137 pF @ 500 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 517W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 750 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO247-4-U02 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Contenitore/involucro |
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 31,82000 | € 31,82 |
| 30 | € 21,00633 | € 630,19 |
| 120 | € 19,47167 | € 2 336,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 31,82000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 38,82040 |
