Name: IMZA65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Price: 13.664 EUR
Availability: OutOfStock

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IMZA65R027M1HXKSA1
Codice DigiKey	448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMZA65R027M1HXKSA1
Descrizione	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 59 A (Tc) 189W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMZA65R027M1HXKSA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	59 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	34mohm a 38,3A, 18V
Vgs(th) max a Id	5,7V a 11mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2131 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	189W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO247-4-3
Contenitore/involucro	TO-247-4
Codice componente base	IMZA65

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 11,20000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 13,66400

IMZA65R027M1HXKSA1