Name: IMZA65R010M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R010M2HXKSA1-ND
Price: 22.4236 EUR
Availability: InStock

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IMZA65R010M2HXKSA1
Codice DigiKey	448-IMZA65R010M2HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMZA65R010M2HXKSA1
Descrizione	IMZA65R010M2HXKSA1
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 144 A (Tc) 440W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMZA65R010M2HXKSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	144 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	9,1mohm a 92,1A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,6V a 18,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	112 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4001 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	440W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO247-4-8
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 18,38000	€ 18,38
30	€ 11,64167	€ 349,25
120	€ 10,97875	€ 1 317,45

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