Canale N 650 V 20 A (Tc) 75W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41
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IMW65R107M1HXKSA1

Codice DigiKey
448-IMW65R107M1HXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMW65R107M1HXKSA1
Descrizione
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 20 A (Tc) 75W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMW65R107M1HXKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5,7V a 3mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 18 V
Serie
Vgs (max)
+23V, -5V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
496 pF @ 400 V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Dissipazione di potenza (max)
75W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
PG-TO247-3-41
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
142mohm a 8,9A, 18V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MSC060SMA070BMicrochip Technology322MSC060SMA070B-ND€ 4,74000Simile
In magazzino: 346
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 6,03000€ 6,03
30€ 3,44933€ 103,48
120€ 2,88125€ 345,75
510€ 2,46478€ 1 257,04
1 020€ 2,31286€ 2 359,12
2 010€ 2,27201€ 4 566,74
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 6,03000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 7,35660