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Canale N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
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IMT65R075M2HXUMA1

Codice DigiKey
448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMT65R075M2HXUMA1
Descrizione
SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8
Tempi di consegna standard del produttore
61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs
95mOhm @ 11.9A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,6V a 2,4mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14.9 nC @ 18 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
516 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
178W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-HSOF-8
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 5,12000€ 5,12
10€ 3,42300€ 34,23
100€ 2,45660€ 245,66
500€ 2,04484€ 1 022,42
1 000€ 1,91267€ 1 912,67
2 000€ 1,82729€ 3 654,58
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 5,12000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 6,24640