Name: IMT65R020M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R020M2HXUMA1TR-ND
Price: 14.03 EUR
Availability: InStock

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IMT65R020M2HXUMA1
Codice DigiKey	448-IMT65R020M2HXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMT65R020M2HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMT65R020M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMT65R020M2HXUMA1
Descrizione	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 105 A (Tc) 440W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 46,9A, 20V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,6V a 9,5mA
Serie CoolSiC™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2038 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 440W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 105 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN