Nuovo prodotto
Canale N 440 V 11,7A (Ta), 111A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
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IMT44R015M2HXTMA2

Codice DigiKey
448-IMT44R015M2HXTMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IMT44R015M2HXTMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IMT44R015M2HXTMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IMT44R015M2HXTMA2
Descrizione
SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Tempi di consegna standard del produttore
61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 440 V 11,7A (Ta), 111A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™ G2
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
440 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11,7A (Ta), 111A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
19,1mohm a 27,1A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,6V a 9,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2730 pF @ 200 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 341W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-HSOF-8
Contenitore/involucro
8-PowerSFN
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In magazzino: 1 980
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 10,88000€ 10,88
10€ 7,58300€ 75,83
100€ 6,58090€ 658,09
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 000€ 5,37660€ 10 753,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 10,88000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 13,27360