Name: IMLT65R075M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMLT65R075M2HXTMA1-ND
Price: 6.1122 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Canale N 650 V 34,7A (Tc) 187W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-6

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IMLT65R075M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMLT65R075M2HXTMA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMLT65R075M2HXTMA1
Descrizione	IMLT65R075M2HXTMA1
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 34,7A (Tc) 187W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	34,7A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	68mohm a 11,9A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,6V a 2,4mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14.9 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	516 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	187W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HDSOP-16-6
Contenitore/involucro	Modulo 16-PowerSOP

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 5,01000	€ 5,01
10	€ 3,34600	€ 33,46
100	€ 2,39860	€ 239,86
500	€ 1,99468	€ 997,34
1 800	€ 1,77544	€ 3 195,79

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