Nuovo prodotto
IMCQ120R026M2HXTMA1
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IMCQ120R026M2HXTMA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMCQ120R053M2HXTMA1

Codice DigiKey
448-IMCQ120R053M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IMCQ120R053M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IMCQ120R053M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IMCQ120R053M2HXTMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 43 A (Tc) 234W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMCQ120R053M2HXTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
52,6mohm a 13,2A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,1V a 4,1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32.8 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1270 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
234W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-HDSOP-22-3
Contenitore/involucro
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In magazzino: 707
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 7,75000€ 7,75
10€ 5,29800€ 52,98
100€ 4,21370€ 421,37
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
750€ 3,44260€ 2 581,95
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 7,75000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 9,45500