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IMBG65R163M1HXTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMBG65R163M1HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG65R163M1HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R163M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG65R163M1HXTMA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 17 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMBG65R163M1HXTMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5,7V a 1,7mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 320 pF @ 400 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-7-12 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 217mohm a 5,7A, 18V |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,68000 | € 4,68 |
| 10 | € 3,11100 | € 31,11 |
| 100 | € 2,22130 | € 222,13 |
| 500 | € 1,98056 | € 990,28 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,71953 | € 1 719,53 |
| 2 000 | € 1,61811 | € 3 236,22 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,68000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,70960 |
