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IMBG65R020M2HXTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG65R020M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG65R020M2HXTMA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 91 A (Tc) 326W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 24mohm a 46,9A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 9,5mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 57 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2038 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 326W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-7-12 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 778
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 11,79000 | € 11,79 |
| 10 | € 8,25800 | € 82,58 |
| 100 | € 7,30280 | € 730,28 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 5,96634 | € 5 966,34 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 11,79000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 14,38380 |
Italia