Name: IMBG65R010M2H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HDKR-ND
Price: 23.241 EUR
Availability: InStock

Canale N 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12

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IMBG65R010M2H
Codice DigiKey	448-IMBG65R010M2HCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R010M2HDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMBG65R010M2H
Descrizione	IMBG65R010M2H
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	158 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	9,1mohm a 92,1A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,6V a 18,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	112 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4001 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	535W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-7-12
Contenitore/involucro	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 19,05000	€ 19,05
10	€ 15,25800	€ 152,58
25	€ 14,30960	€ 357,74
100	€ 13,26700	€ 1 326,70
250	€ 12,76984	€ 3 192,46
500	€ 12,47030	€ 6 235,15