
IMBG40R011M2HXTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMBG40R011M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG40R011M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG40R011M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG40R011M2HXTMA1 |
Descrizione | SIC-MOS |
Tempi di consegna standard del produttore | 61 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 400 V 13,4A (Ta), 133A (Tc) 3,8W (Ta), 429W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMBG40R011M2HXTMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 400 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14,4mohm a 37,1A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 13,3mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 85 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3770 pF @ 200 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,8W (Ta), 429W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-7-11 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 14,30000 | € 14,30 |
| 10 | € 10,09800 | € 100,98 |
| 100 | € 8,63010 | € 863,01 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 7,05067 | € 7 050,67 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 14,30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 17,44600 |

