Name: IMBG120R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 14.3838 EUR
Availability: InStock

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IMBG120R026M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG120R026M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMBG120R026M2HXTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	69 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 75 A (Tc) 335W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5.1V @ 8.6mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ G2	Vgs (max) +23V, -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1990 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 335W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-7-12
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 75 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Codice componente base IMBG120R026
RDSon (max) a Id, Vgs 25,4mohm a 27,3A, 18V