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Equivalente parametrico


Infineon Technologies
In magazzino: 2 392
Prezzo unitario : € 1,31000
Scheda tecnica
IGBT Trench 600 V 8 A 75 W A montaggio superficiale PG-TO252-3
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IGBT Trench 600 V 8 A 75 W A montaggio superficiale PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IKD04N60RFAATMA1

Codice DigiKey
IKD04N60RFAATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IKD04N60RFAATMA1
Descrizione
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
IGBT Trench 600 V 8 A 75 W A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria
Tipo di ingresso
Standard
Produttore
Infineon Technologies
Carica del gate
27 nC
Serie
Td (on/off) a 25°C
12ns/116ns
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Condizione di test
400V, 4A, 43ohm, 15V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tempo di recupero inverso (Trr)
34 ns
Tipo di IGBT
Trench
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
600 V
Grado
Automobilistico
Corrente - Collettore (Ic) max
8 A
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Pulsata collettore (Icm)
12 A
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Vce(on) max a Vge, Ic
2,5V a 15V, 4A
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Potenza - Max
75 W
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Energia di commutazione
60µJ (on), 50µJ (off)
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IKD04N60RFATMA1Infineon Technologies2 392IKD04N60RFATMA1CT-ND€ 1,31000Equivalente parametrico
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,59749€ 1 493,72
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,59749
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,72894