Name: IKD04N60RATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IKD04N60RATMA1TR-ND
Price: 1.4762 EUR
Availability: InStock

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IKD04N60RATMA1
Codice DigiKey	IKD04N60RATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IKD04N60RATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IKD04N60RATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IKD04N60RATMA1
Descrizione	IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 600 V 8 A 75 W A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IKD04N60RATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Category Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli	Energia di commutazione 90µJ (on), 150µJ (off)
Produttore Infineon Technologies	Tipo di ingresso Standard
Serie TRENCHSTOP™	Carica del gate 27 nC
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Td (on/off) a 25°C 14ns/146ns
Stato componente Attivo	Condizione di test 400V, 4A, 43ohm, 15V
Tipo di IGBT Trench Field Stop	Tempo di recupero inverso (Trr) 43 ns
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 600 V	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Collettore (Ic) max 8 A	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 12 A	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vce(on) max a Vge, Ic 2,1V a 15V, 4A	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Potenza - Max 75 W	Codice componente base IKD04N60

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)