Name: IGK080B041SXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGK080B041SXTSA1TR-ND
Price: 1.1224 EUR
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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IGK080B041SXTSA1
Codice DigiKey	448-IGK080B041SXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGK080B041SXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGK080B041SXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGK080B041SXTSA1
Descrizione	GANFET N-CH 40V 35A 16WLBGA
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 35 A (Tc) 1,6W (Ta), 21W (Tc) A montaggio superficiale SG-UFWLB-16-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 5A, 5V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,9V a 3mA
Serie CoolGaN™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.3 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 370 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta), 21W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 125°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore SG-UFWLB-16-2
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Tc)	Contenitore/involucro 16-UFBGA, WLBGA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,92000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,12240

IGK080B041SXTSA1