Name: IGK080B041SXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGK080B041SXTSA1TR-ND
Price: 0.42817 EUR
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

40 V 35 A (Tc) 1,6W (Ta), 21W (Tc) A montaggio superficiale SG-UFWLB-16-2

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IGK080B041SXTSA1
Codice DigiKey	448-IGK080B041SXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGK080B041SXTSA1
Descrizione	MV GAN DISCRETES
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	40 V 35 A (Tc) 1,6W (Ta), 21W (Tc) A montaggio superficiale SG-UFWLB-16-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	-
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	8mohm a 5A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,9V a 3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.3 nC @ 5 V
Vgs (max)	+6V, -40V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	370 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,6W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 125°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SG-UFWLB-16-2
Contenitore/involucro	16-UFBGA, WLBGA

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Nastrato in bobina (TR)