IGD15N65T6ARMA1 Infineon Technologies | IGBT singoli

IGD15N65T6ARMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 4 633

Prezzo unitario : € 1,19000

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IGD15N65T6ARMA1
Codice DigiKey	448-IGD15N65T6ARMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGD15N65T6ARMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGD15N65T6ARMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGD15N65T6ARMA1
Descrizione	IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 100 W A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGD15N65T6ARMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli	Energia di commutazione 230µJ (on), 110µJ (off)
Produttore Infineon Technologies	Tipo di ingresso Standard
Serie TRENCHSTOP™	Carica del gate 37 nC
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Td (on/off) a 25°C 30ns/117ns
Stato componente Obsoleto	Condizione di test 400V, 11,5A, 47ohm, 15V
Tipo di IGBT Trench Field Stop	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 30 A	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 57.5 A	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Vce(on) max a Vge, Ic 1,9V a 15V, 11,5A	Codice componente base IGD15N65
Potenza - Max 100 W