Name: IGD08N120S7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGD08N120S7ATMA1TR-ND
Price: 2.4888 EUR
Availability: InStock

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IGD08N120S7ATMA1
Codice DigiKey	448-IGD08N120S7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGD08N120S7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGD08N120S7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGD08N120S7ATMA1
Descrizione	IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 1200 V 24 A 106 W A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGD08N120S7ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli	Potenza - Max 106 W
Produttore Infineon Technologies	Energia di commutazione 460µJ (on), 410µJ (off)
Serie TRENCHSTOP™	Tipo di ingresso Standard
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Carica del gate 55 nC
Stato componente Attivo	Td (on/off) a 25°C 15ns/149ns
Tipo di IGBT Trench Field Stop	Condizione di test 600V, 8A, 20ohm, 15V
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 1200 V	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Collettore (Ic) max 24 A	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 24 A	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vce(on) max a Vge, Ic 2V a 15V, 8A	Contenitore del fornitore PG-TO252-3