IGC090S20S1XTMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IGC090S20S1XTMA1
Codice DigiKey	448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGC090S20S1XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGC090S20S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGC090S20S1XTMA1
Descrizione	200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 12 A (Ta), 46 A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-6-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 10A, 5V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,9V a 5mA
Serie CoolGaN™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.5 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±6,5V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 800 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,3W (Ta), 45W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Ta), 46 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TSON-6-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V	Contenitore/involucro 6-PowerTDFN

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