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IGB50N65S5ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IGB50N65S5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IGB50N65S5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IGB50N65S5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IGB50N65S5ATMA1 |
Descrizione | IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 270 W A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IGB50N65S5ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria | Energia di commutazione 1,23mJ (on), 740µJ (off) |
Produttore Infineon Technologies | Tipo di ingresso Standard |
Serie | Carica del gate 120 nC |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Td (on/off) a 25°C 20ns/139ns |
Stato componente Attivo | Condizione di test 400V, 50A, 8,2ohm, 15V |
Tipo di IGBT Trench Field Stop | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 650 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Collettore (Ic) max 80 A | Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB |
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 200 A | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Vce(on) max a Vge, Ic 1,7V a 15V, 50A | Codice componente base |
Potenza - Max 270 W |
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In magazzino: 3 995
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,14000 | € 3,14 |
| 10 | € 2,05100 | € 20,51 |
| 100 | € 1,42950 | € 142,95 |
| 500 | € 1,16966 | € 584,83 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,07911 | € 1 079,11 |
| 2 000 | € 1,00749 | € 2 014,98 |
| 3 000 | € 0,97101 | € 2 913,03 |
| 5 000 | € 0,95561 | € 4 778,05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,14000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,83080 |
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