Name: IGB50N65H5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGB50N65H5ATMA1TR-ND
Price: 3.8308 EUR
Availability: InStock

IGB50N65H5ATMA1
Codice DigiKey	IGB50N65H5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IGB50N65H5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IGB50N65H5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGB50N65H5ATMA1
Descrizione	IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 270 W A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGB50N65H5ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	TRENCHSTOP™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	Trench Field Stop
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	650 V
Corrente - Collettore (Ic) max	80 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	150 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,1V a 15V, 50A
Potenza - Max	270 W
Energia di commutazione	1,59mJ (on), 750µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	120 nC
Td (on/off) a 25°C	23ns/173ns
Condizione di test	400V, 50A, 12ohm, 15V
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3
Codice componente base	IGB50

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,14000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,83080

IGB50N65H5ATMA1