Name: IGB30N60H3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGB30N60H3ATMA1TR-ND
Price: 3.2086 EUR
Availability: InStock

IGB30N60H3ATMA1
Codice DigiKey	IGB30N60H3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IGB30N60H3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IGB30N60H3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGB30N60H3ATMA1
Descrizione	IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	TRENCHSTOP™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	Trench Field Stop
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	600 V
Corrente - Collettore (Ic) max	60 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	120 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,4V a 15V, 30A
Potenza - Max	187 W
Energia di commutazione	1,17 mJ
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	165 nC
Td (on/off) a 25°C	18ns/207ns
Condizione di test	400V, 30A, 10,5ohm, 15V
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Codice componente base	IGB30

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,63000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,20860

IGB30N60H3ATMA1