Name: IDH04G65C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Price: 2.4522 EUR
Availability: InStock

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IDH04G65C6XKSA1
Codice DigiKey	448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IDH04G65C6XKSA1
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 12A Foro passante PG-TO220-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IDH04G65C6XKSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	12A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.35 V @ 4 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	14 µA @ 420 V
Capacità a Vr, F	205pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2
Contenitore del fornitore	PG-TO220-2
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Codice componente base	IDH04G65

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 2,01000	€ 2,01
50	€ 0,98020	€ 49,01
100	€ 0,87960	€ 87,96
500	€ 0,70338	€ 351,69
1 000	€ 0,64672	€ 646,72
2 000	€ 0,59908	€ 1 198,16
5 000	€ 0,55947	€ 2 797,35

Contenitore standard del produttore

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