Name: IDDD10G65C6XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IDDD10G65C6XTMA1TR-ND
Price: 5.1606 EUR
Availability: InStock

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IDDD10G65C6XTMA1
Codice DigiKey	448-IDDD10G65C6XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IDDD10G65C6XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IDDD10G65C6XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IDDD10G65C6XTMA1
Descrizione	DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 29A A montaggio superficiale PG-HDSOP-10-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IDDD10G65C6XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Produttore Infineon Technologies	Corrente - Dispersione inversa a Vr 33 µA @ 420 V
Serie CoolSiC™+	Capacità a Vr, F 495pF a 1V, 1MHz
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Stato componente Non per nuovi progetti	Contenitore/involucro Modulo 10-PowerSOP
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-10-1
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 650 V	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Corrente - Media rettificata (Io) 29A	Codice componente base IDDD10
Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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In magazzino: 1 708

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 700	€ 1,45071	€ 2 466,21
3 400	€ 1,39384	€ 4 739,06

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,23000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 5,16060

IDDD10G65C6XTMA1