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IDB15E60ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : € 1,01073
Scheda tecnica
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IDB15E60ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IDB15E60ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IDB15E60ATMA1 |
Descrizione | DIODE STD 600V 29.2A PGTO26332 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 600 V 29,2A A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IDB15E60ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | ||
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max | 600 V | |
Corrente - Media rettificata (Io) | 29,2A | |
Tensione - Diretta (Vf) max a If | 2 V @ 15 A | |
Velocità | Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | |
Tempo di recupero inverso (Trr) | 87 ns | |
Corrente - Dispersione inversa a Vr | 50 µA @ 600 V | |
Capacità a Vr, F | - | |
Tipo di montaggio | ||
Contenitore/involucro | ||
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3-2 | |
Temp. di funzionamento - Giunzione | -40°C ~ 175°C | |
Codice componente base |
Obsoleto
Italia