Name: IAUZ40N06S5N050ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N06S5N050ATMA1TR-ND
Price: 1.9032 EUR
Availability: InStock

Canale N 60 V 40A (Tj) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-33

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IAUZ40N06S5N050ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUZ40N06S5N050ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUZ40N06S5N050ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUZ40N06S5N050ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUZ40N06S5N050ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 40A (Tj) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUZ40N06S5N050ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30.5 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2200 pF @ 30 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40A (Tj)	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8-33
RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 3,4V a 29µA	Codice componente base IAUZ40