Name: IAUZ40N06S5L050ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N06S5L050ATMA1TR-ND
Price: 1.9154 EUR
Availability: InStock

Canale N 60 V 90A (Tj) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-33

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IAUZ40N06S5L050ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUZ40N06S5L050ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUZ40N06S5L050ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUZ40N06S5L050ATMA1
Descrizione	MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 90A (Tj) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUZ40N06S5L050ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 29µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 36.7 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2500 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 90A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8-33
RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN