Name: IAUZ40N06S5L050ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N06S5L050ATMA1TR-ND
Price: 1.8422 EUR
Availability: InStock

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IAUZ40N06S5L050ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUZ40N06S5L050ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUZ40N06S5L050ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUZ40N06S5L050ATMA1
Descrizione	MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 90A (Tj) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUZ40N06S5L050ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 29µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	36.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2500 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	71W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSDSON-8-33
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN