Name: IAUTN06S5N008TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008TATMA1TR-ND
Price: 8.4058 EUR
Availability: InStock

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IAUTN06S5N008TATMA1
Codice DigiKey	448-IAUTN06S5N008TATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUTN06S5N008TATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUTN06S5N008TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUTN06S5N008TATMA1
Descrizione	MOSFET_)40V 60V)
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 136A (Ta), 350A (Tj) 358W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUTN06S5N008TATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	136A (Ta), 350A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	7V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,79mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 275µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	273 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	20280 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	358W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HDSOP-16-2
Contenitore/involucro	Modulo 16-PowerSOP