Name: IAUS200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 4.88 EUR
Availability: InStock

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IAUS200N08S5N023ATMA1
Codice DigiKey	IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IAUS200N08S5N023ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IAUS200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUS200N08S5N023ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 200 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUS200N08S5N023ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7670 pF @ 40 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOG-8-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSMD, ad ala di gabbiano
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 100A, 10V	Codice componente base IAUS200
Vgs(th) max a Id 3,8V a 130µA