Name: IAUCN08S7N019ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N019ATMA1TR-ND
Price: 3.9162 EUR
Availability: InStock

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IAUCN08S7N019ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN08S7N019ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN08S7N019ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN08S7N019ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN08S7N019ATMA1
Descrizione	MOSFET_(75V 120V(
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 175A A montaggio superficiale PG-TDSON-8-43
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUCN08S7N019ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 7	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Grado Automobilistico
Stato componente Attivo	Qualifica AEC-Q101
Tipo FET Canale N	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-43
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 175A