Name: IAUCN04S7N019DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7N019DATMA1TR-ND
Price: 3.1354 EUR
Availability: InStock

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IAUCN04S7N019DATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN04S7N019DATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN04S7N019DATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN04S7N019DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN04S7N019DATMA1
Descrizione	MOSFET_(20V 40V)
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 160A (Tj) 96W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-60
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUCN04S7N019DATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 35µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 48nC a 10V
Serie OptiMOS™ 7	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3273pF a 20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 96W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 160A (Tj)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,99mohm a 30A, 10V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-60

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5 000	€ 0,72656	€ 3 632,80
10 000	€ 0,71594	€ 7 159,40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,57000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,13540

IAUCN04S7N019DATMA1