Name: IAUCN04S7N006TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7N006TATMA1TR-ND
Price: 4.0382 EUR
Availability: OutOfStock

Canale N 40 V 425A (Tj) 205W (Tc) A montaggio superficiale PG-LHDSO-10-3

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IAUCN04S7N006TATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN04S7N006TATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN04S7N006TATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN04S7N006TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN04S7N006TATMA1
Descrizione	IAUCN04S7N006TATMA1
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 425A (Tj) 205W (Tc) A montaggio superficiale PG-LHDSO-10-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 115µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 146 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10040 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 205W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 425A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7V, 10V	Contenitore del fornitore PG-LHDSO-10-3
RDSon (max) a Id, Vgs 0,64mohm a 88A, 10V	Contenitore/involucro 10-LSOP (larghezza 0,209", 5,30mm) piazzola esposta