Name: IAUCN04S7L011ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L011ATMA1TR-ND
Price: 1.9276 EUR
Availability: InStock

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IAUCN04S7L011ATMA1
cms-digikey-product-number	448-IAUCN04S7L011ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN04S7L011ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN04S7L011ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IAUCN04S7L011ATMA1
cms-description	MOSFET_(20V 40V)
cms-standard-lead-time	26 settimane
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canale N 40 V 222A (Tj) 105W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-34
Scheda tecnica	Scheda tecnica

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	222A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,13mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id	1,8V a 45µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4240 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	105W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-34
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,58000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,92760

IAUCN04S7L011ATMA1