Name: IAUC60N04S6L045HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC60N04S6L045HATMA1TR-ND
Price: 2.2448 EUR
Availability: InStock

MOSFET - Array 40V 60A (Tj) 52W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-57

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IAUC60N04S6L045HATMA1
Codice DigiKey	448-IAUC60N04S6L045HATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUC60N04S6L045HATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUC60N04S6L045HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUC60N04S6L045HATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 60A (Tj) 52W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-57
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUC60N04S6L045HATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2V a 13µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19nC a 10V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1136pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 52W (Tc)
Stato componente Non per nuovi progetti	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (semiponte)	Qualifica AEC-Q101
Funzione FET Porta a livello logico	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60A (Tj)	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-57
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5mohm a 30A, 10V	Codice componente base IAUC60