Name: IAUC41N06S5N102ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC41N06S5N102ATMA1TR-ND
Price: 1.4884 EUR
Availability: InStock

Canale N 60 V 47A (Tj) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-33

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IAUC41N06S5N102ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUC41N06S5N102ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUC41N06S5N102ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUC41N06S5N102ATMA1
Descrizione	MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 47A (Tj) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUC41N06S5N102ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,4V a 13µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16.3 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1112.1 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 47A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7V, 10V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-33
RDSon (max) a Id, Vgs 10,2mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN