Name: IAUC120N04S6N009ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND
Price: 3.0744 EUR
Availability: OutOfStock

Canale N 40 V 120 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-33

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IAUC120N04S6N009ATMA1
Codice DigiKey	IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IAUC120N04S6N009ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IAUC120N04S6N009ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUC120N04S6N009ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 120 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUC120N04S6N009ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 115 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7360 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-33
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 0,9mohm a 60A, 10V	Codice componente base IAUC120
Vgs(th) max a Id 3,4V a 90µA