Name: GS0650302LMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650302LMRXUSA1TR-ND
Price: 11.4924 EUR
Availability: InStock

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GS0650302LMRXUSA1
Codice DigiKey	448-GS0650302LMRXUSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-GS0650302LMRXUSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-GS0650302LMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	GS0650302LMRXUSA1
Descrizione	GS-065-030-2-L-MR
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 30 A (Tc) A montaggio superficiale 8-PDFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V
RDSon (max) a Id, Vgs	68mohm a 5,5A, 6V
Vgs(th) max a Id	2,6V a 7,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.7 nC @ 6 V
Vgs (max)	+7V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	235 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PDFN (8x8)
Contenitore/involucro	8-VDFN piazzola esposta