Name: GS-065-008-1-L-TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS-065-008-1-L-TR-ND
Price: 2.71455 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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GS-065-008-1-L-TR
Codice DigiKey	448-GS-065-008-1-L-TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	GS-065-008-1-L-TR
Descrizione	GS-065-008-1-L-TR
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 8 A (Tc) A montaggio superficiale 8-PDFN (5x6)
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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 225mohm a 2,2A, 6V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 1,4V a 1,74mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.5 nC @ 6 V
Stato componente Attivo	Vgs (max) +7V, -10V
Tipo FET Canale N	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 52 pF @ 400 V
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PDFN (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IGLR65R200D2XUMA1	Infineon Technologies	6 625	448-IGLR65R200D2XUMA1CT-ND	€ 2,44000	Simile

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3 000	€ 2,22504	€ 6 675,12

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,22504
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,71455

GS-065-008-1-L-TR