Name: FF200R12KE3HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FF200R12KE3HOSA1-ND
Price: 118.3034 EUR
Availability: InStock

IGBT Modulo 2 indipendenti 1200 V 1050 W Montaggio su telaio Modulo

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FF200R12KE3HOSA1
Codice DigiKey	FF200R12KE3HOSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	FF200R12KE3HOSA1
Descrizione	IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Modulo 2 indipendenti 1200 V 1050 W Montaggio su telaio Modulo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT Moduli IGBT	Capacità di ingresso (Cies) a Vce 14 nF @ 25 V
Produttore Infineon Technologies	Ingresso Standard
Confezionamento Vassoio	Termistore NTC Si
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 125°C
Configurazione 2 indipendenti	Tipo di montaggio Montaggio su telaio
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 1200 V	Contenitore/involucro Modulo
Potenza - Max 1050 W	Contenitore del fornitore Modulo
Vce(on) max a Vge, Ic 2,15V a 15V, 200A	Codice componente base FF200R12
Corrente - Interruzione collettore (max) 5 mA

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