Name: BSZ22DN20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ22DN20NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.7446 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BSZ22DN20NS3GATMA1
Codice DigiKey	BSZ22DN20NS3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ22DN20NS3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ22DN20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ22DN20NS3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 7 A (Tc) 34W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ22DN20NS3GATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 13µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.6 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 430 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 34W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base BSZ22DN20
RDSon (max) a Id, Vgs 225mohm a 3,5A, 10V