Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 0.9638 EUR
Availability: InStock

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BSZ180P03NS3EGATMA1
Codice DigiKey	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ180P03NS3EGATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 9 A (Ta), 39,5 A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ180P03NS3EGATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Ta), 39,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	18mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,1V a 48µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2220 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSDSON-8
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	BSZ180