Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.867 EUR
Availability: InStock

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BSZ16DN25NS3GATMA1
Codice DigiKey	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ16DN25NS3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 10,9 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ16DN25NS3GATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 32µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.4 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 920 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 62,5W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,9 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base BSZ16DN25
RDSon (max) a Id, Vgs 165mohm a 5,5A, 10V