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BSZ120P03NS3EGATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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BSZ120P03NS3EGATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BSZ120P03NS3EGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BSZ120P03NS3EGATMA1 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 11 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 20A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 3,1V a 73µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±25V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3360 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 52W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Contenitore/involucro |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 6 240 | BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND | € 0,95000 | Simile |
| FDMC6675BZ | onsemi | 2 558 | FDMC6675BZCT-ND | € 1,59000 | Simile |
| FDMC6679AZ | onsemi | 4 949 | FDMC6679AZFSCT-ND | € 1,78000 | Simile |
| SI7121ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SI7121ADN-T1-GE3CT-ND | € 1,01000 | Simile |
| UPA2815T1S-E2-AT | Renesas Electronics Corporation | 10 000 | 559-UPA2815T1S-E2-ATCT-ND | € 1,25000 | Simile |
Obsoleto
