Name: BSZ110N06NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ110N06NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.4396 EUR
Availability: OutOfStock

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BSZ110N06NS3GATMA1
Codice DigiKey	BSZ110N06NS3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ110N06NS3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ110N06NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ110N06NS3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 20 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ110N06NS3GATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 23µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2700 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSDSON-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	BSZ110