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Texas Instruments
In magazzino: 1 671
Prezzo unitario : € 1,08000
Scheda tecnica
Canale N 30 V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 43W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-FL
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BSZ0502NSIATMA1

Codice DigiKey
BSZ0502NSIATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BSZ0502NSIATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore
61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 43W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-FL
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BSZ0502NSIATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
26 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1600 pF @ 15 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 43W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Contenitore del fornitore
PG-TSDSON-8-FL
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
2,8mohm a 20A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
CSD17581Q5ATexas Instruments1 671296-49602-1-ND€ 1,08000Simile
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 0,33703€ 1 685,15
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,33703
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,41118